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台积电已推出增强版7nm/5nm制程工艺

编辑:无忧系统 2019-07-31 来源于:网络

  7月31日消息 行业领先的制程工艺,一直是台积电(TSMC)在芯片代工领域中保持竞争力的“法宝”之一!而据最新消息显示,台积电已经悄然推出了7nm深紫外DUV(N7)制程工艺和5nm极紫外EUV(N5)制造工艺的性能增强版本。

台积电已推出增强版7nm/5nm制程工艺

  报道称,台积电的N7P和N5P技术是专为需要7nm设计运行更快或消耗电量更少的客户设计。

  据悉,台积电全新N7P工艺采用与N7相同的设计规则,优化了前端(FEOL)和中端(MOL),可在相同功率下将性能提升7%,或者在相同的频率下降低10%的功耗。

  据了解,台积电最早于今年在日本举办的VLSI研讨会上透露相关信息,但并没有广泛宣传;N7P采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术,与N7相比,没有改变晶体管密度。

  而需要晶体管密度高出约18%至20%的TSMC客户,预计将使用N7+N6工艺技术,其中N6工艺技术通过极紫外(EUV)光刻技术进行多层处理。

  另外,台积电下一个具有显著密度、改进功耗和性能的主要节点是N5(5nm),并将提供一个名为N5P的性能增强版本,该技术采用FEOL和MOL优化功能,以便在相同功率下使芯片的运行速度提高7%,或在相同频率下将功耗降低15%!那么,各位小伙伴又如何看待此事呢?

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