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上半年量产!三星推出业界首款第三代HBM2E显存

编辑:无忧系统 2020-02-05 来源于:网络

  日前有外媒报道称,三星电子正式推出了第三代HBM2(HBM2E)存储芯片,并将之命名为“Flashbolt”。值得一提的是,第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,且有望在今年上半年开始量产!感兴趣的朋友,还不赶紧来了解一下。

三星推出第三代HBM2E显存

  据悉,第三代HBM2存储芯片单颗最大容量16GB,由16Gb的单Die通过8层堆叠而成,可实现16GB的封装容量,并确保3.2Gbps的稳定数据传输速度。

  按照三星方面的说法,新型16GB HBM2E特别适用于高性能计算(HPC)系统,并可帮助系统制造商及时改进其超级计算机、AI驱动的数据分析和最新的图形系统。同时,三星预计第三代HBM2存储芯片将在今年上半年开始量产!另外,三星将继续提供第二代Aquabolt产品阵容,同时扩展其第三代Flashbolt产品。

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